9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQA6N70，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQA6N70参考价格$4.988。onsemi FQA6N70封装/规格：MOSFET N-CH 700V 6.4A TO3P。您可以下载FQA6N70英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQA62N25C是MOSFET N-CH 250V 62A TO-3P，包括管封装，它们设计为与FQA62N25kC_NL零件别名一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.225789盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计为在TO-3P-3以及Si技术中工作，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有298 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为335 ns，上升时间为395ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为62 a，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Rds导通漏极-漏极电阻为35mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为245ns，典型接通延迟时间为75ns，正向跨导最小值为55S，沟道模式为增强。
FQA65N20是MOSFET N-CH 200V 65A TO-3P，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.225789盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如120 ns，典型的关闭延迟时间设计为340 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为640 ns，器件的漏极-源极电阻为32 mOhms，Pd功耗为310 W，零件别名为FQA65N20_NL，封装为管，封装外壳为TO-3P-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为65 A，正向跨导最小值为58 S，下降时间为275 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FQA65N06是FSC制造的MOSFET N-CH 60V 72A TO-3P。FQA65N06以TO-3P-3、SC-65-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 72A TO-3P、N沟道60V 72B（Tc）183W（Tc）通孔TO-3P和Trans-MOSFET N-CH 60 V 72A Automotive 3引脚（3+Tab）TO-3P。
