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FQB25N33TM_F085带有引脚细节,包括卷筒包装,设计用于0.046296盎司单位重量的操作,包装箱如数据表注释所示,用于to-252-3,提供Si等技术特性,信道数设计用于1信道,以及1 N信道晶体管类型,该设备也可以用作25 a Id连续漏电流。此外,Vds漏极-源极击穿电压为330 V,该器件提供230 mOhms Rds漏极源极电阻,该器件具有N沟道晶体管极性。
FQB27N25和FSC制造的用户指南。FQB27N25在TO-263封装中提供,是FET的一部分-单个。
FQB27N25TM,带有FAIRCHILD制造的电路图。FQB27N25TM在TO-263封装中提供,是FET的一部分-单个。