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BSZ0905PNSATMA1

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 69W (Ta) 供应商设备包装: PG-TDSON-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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  • 单价: ¥7.63691
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7.64
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 场效应管类型 P-通道
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 40A (Tc)
  • 最大功耗 69W (Ta)
  • 供应商设备包装 PG-TDSON-8
  • 导通电阻 Rds(ON) 8.6毫欧姆 @ 20A, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 43.2 nC @ 10 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.9V@105A.
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3190 pF @ 15 V

BSZ0905PNSATMA1 产品详情

超低的栅极和输出电荷,以及小封装中最低的导通电阻,使OptiMOS™ 25V是服务器、数据通信和电信应用中电压调节器解决方案苛刻要求的最佳选择。光学MOS™ 30V产品通过改善EMI行为和延长电池寿命,满足笔记本电脑电源管理的需求。半桥配置可用(功率级5x6)

特色

  • 超低栅极和输出电荷
  • 小封装中的最低导通电阻
  • 易于设计
  • 延长电池寿命
  • 改进的EMI行为使外部缓冲网络过时
  • 节约成本
  • 节省空间
  • 减少功率损耗

应用

  • 车载充电器
  • 笔记本
  • 主板
  • 直流-直流
  • VRD/VRM
  • 电机控制
  • 发光二极管
BSZ0905PNSATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),BSZ0905PNSATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BSZ0905PNSATMA1价格参考¥7.636914,你可以下载 BSZ0905PNSATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BSZ0905PNSATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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