9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZVP2106GTC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZVP2106GTC参考价格$3.524。Diodes Incorporated ZVP2106GTC封装/规格：MOSFET P-CH 60V 450MA SOT223。您可以下载ZVP2106GTC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZVP2106GTA是MOSFET P-CH 60V 450MA SOT223，包括ZVP2106系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-223，配置为单双漏极，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为2W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为100pF@18V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为450mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为5 Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为3.5V@1mA，Pd功耗为2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为15纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为-450mA，Vds漏极-源极击穿电压为-60V，Rds导通漏极-漏极电阻为5欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为12ns，典型接通延迟时间为7ns，沟道模式为增强。
ZVP2106ATZ是MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3，包括3.5V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于20 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-60 V，提供0.016000 oz等单位重量功能，典型开启延迟时间设计为7 ns，以及12 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的TO-92-3，系列为ZVP2106，上升时间为15 ns，Rds On Max Id Vgs为5 Ohm@500mA，10V，Rds On Drain Source电阻为5 Ohms，功率最大值为700mW，Pd功耗为700mW，封装为散装，封装外壳为TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA），其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为1通道，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最小工作温度范围是-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Cis-Vds为100pF@18V，Id连续漏极电流为-280 mA，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为15 ns，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为280mA（Ta），配置为单一，沟道模式为增强型。
ZVP2106G，带有ZETEX制造的电路图。ZVP2106G在SOT-223封装中提供，是FET的一部分-单个。
