9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQA34N20，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FQA34N20参考价格为0.796美元。onsemi FQA34N20封装/规格：MOSFET N-CH 200V 34A TO3P。您可以下载FQA34N20英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQA32N20C是MOSFET N-CH 200V 32A TO-3P，包括管封装，设计用于0.225789 oz单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-3P-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供204 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为210 ns，上升时间为270 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为32 A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds漏极漏极-漏极电阻为82mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为245ns，典型接通延迟时间为25ns，正向跨导最小值为20S，沟道模式为增强。
FQA33N10是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 100V 36A TO-3P。FQA33N10采用TO-3P-3、SC-65-3封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 100V 36A TO-3P、N沟道100V 36B（Tc）163W（Tc）通孔TO-3P。
FQA33N10L是FSC制造的MOSFET N-CH 100V 36A TO-3P。FQA33N10L以TO-3P-3、SC-65-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 100V 36A TO-3P、N沟道100V 36B（Tc）163W（Tc）通孔TO-3P和Trans MOSFET N-CH100V 36C 3-Pin（3+Tab）TO-3P。
