9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的ZVP306ASTZ，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZVP3306ATZ价格参考2.336美元。Diodes Incorporated ZVP306ASTZ封装/规格：MOSFET P-CH 60V 160MA E-LINE。您可以下载ZVP3306ATZ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZVP3306A是MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3，包括ZVP3306系列，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.016000盎司，提供通孔等安装方式功能，包装盒设计用于to-226-3、to-92-3（to-226AA）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-92-3，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为625mW，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为50pF@18V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为160mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为14 Ohm@200mA，10V，Vgs最大Id为3.5V@1mA，Pd功耗为625 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为8纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为-160mA，Vds漏极-源极击穿电压为-60V，Rds漏极源极导通电阻为14欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为8ns，典型接通延迟时间为8 ns，沟道模式为增强。
ZVP2120GTA是MOSFET P-CH 200V 0.2A SOT223，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如7 ns，典型的关闭延迟时间设计为12 ns，以及1 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为ZVP120系列，该器件的上升时间为7 ns，漏极电阻Rds为25欧姆，Pd功耗为2 W，封装为卷轴式，封装外壳为SOT-223-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为-200 mA，下降时间为15 ns，配置为单双漏，通道模式为增强。
ZVP2120G，带有ZETEX制造的电路图。ZVP2120G在SOT-223封装中提供，是FET的一部分-单个。
ZVP3306具有ZETEX制造的EDA/CAD模型。ZVP3306在TO-92封装中提供，是FET的一部分-单个。
