9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQB55N06TM，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FQB55N06TM参考价格为5.44美元。onsemi FQB55N06TM封装/规格：MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK。您可以下载FQB55N06TM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQB50N06TM是MOSFET 60V N沟道QFET，包括卷轴封装，它们设计用于与FQB50N6TM_NL部件别名一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.046296盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数的信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3.75 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为65 ns，上升时间为105 ns，Vgs栅源电压为25 V，Id连续漏电流为50 a，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为22mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为15ns，正向跨导最小值为22S，沟道模式为增强。
FQB50N06LTM是MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.046296盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns，典型的关闭延迟时间设计为80 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件提供380 ns上升时间，器件具有21 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为3.75W，封装为卷轴式，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏极电流为52.4 A，正向跨导最小值为40 S，下降时间为145 ns，配置为单一，信道模式为增强。
FQB50N06LT，带有FAIRCHILD制造的电路图。FQB50N06LT采用TO-263封装，是FET的一部分-单个。
