9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的SPD35N10,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SPD35N10价格参考1.348美元。Infineon Technologies SPD35N10封装/规格:MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3。您可以下载SPD35N10英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的,可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如SPD35N10价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
SPD30P06P G是MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3,包括SIPMOSR系列,它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装,零件别名如数据表注释所示,用于SP000441776 SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06 PGXT,提供单位重量功能,如0.139332盎司,商品名设计用于SIPMOS,以及to-252-3,DPak(2引线+标签),SC-63封装盒,该器件也可以用作硅技术,其工作温度范围为-55°C~175°C(TJ),该器件为表面安装安装型,该器件具有1个通道数,供应商器件封装为PG-TO252-3,FET类型为MOSFET P通道,金属氧化物,功率最大为125W,晶体管类型为1个P通道,漏极到源极电压Vdss为60V,输入电容Cis-Vds为1535pF@25V,FET特性为标准,电流连续漏极Id 25°C为30A(Tc),最大Id Vgs上的Rds为75mOhm@21.5A,10V,Vgs最大Id为4V@1.7mA,栅极电荷Qg-Vgs为48nC@10V,Id连续漏极电流为-30 A,Vds漏极-源极击穿电压为-60 V,漏极-源极电阻Rds为75m欧姆,晶体管极性为P沟道。
SPD30P06PG是MOSFET P-Ch-60V-30A DPAK-2,包括0.13932盎司单位重量,它们设计用于1 P沟道晶体管类型,晶体管极性如数据表注释所示,用于P沟道,提供Si等技术特性,系列设计用于XPD30P6,以及G SP000441776 SPD30P06P SPD30P06PGXT零件别名,该装置也可以用作卷筒包装。此外,封装外壳为TO-252-3,该设备提供1通道数量的通道,该设备具有安装型SMD/SMT。
SPD30PF03L带有VB制造的电路图。SPD30PF03 L采用TO-252封装,是IC芯片的一部分。