这种250V增强型P沟道MOSFET为用户提供了具有竞争力的规格，提供了高效的功率处理能力、高阻抗，并且没有热失控和热引起的二次击穿。
特色
•高压
•导通电阻低
•切换速度快
•低栅极驱动
•低阈值
•ZVN425G型互补P通道
•SOT223包装
ZVP4525GTC
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 265毫安（Ta） 最大功耗: 2W（Ta） 供应商设备包装: SOT-223-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥22.75719
-
数量:
- +
- 总计: ¥22.76
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规格参数
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 场效应管类型 P-通道
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@1毫安
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 漏源电压标 (Vdss) 250伏
- 供应商设备包装 SOT-223-3
- 包装/外壳 至261-4，至261AA
- 最大功耗 2W（Ta）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 3.5V, 10V
- 导通电阻 Rds(ON) 200毫安、10V时为14欧姆
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 3.45 nC@10 V
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±40V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 73 pF @ 25 V
- 部件状态 过时的
- 漏源电流 (Id) @ 温度 265毫安（Ta）
ZVP4525GTC 产品详情
ZVP4525GTC 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | ZVP1320FTA | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35毫安 (Ta) 最大功耗: 350mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.838 |
 | ZVP4525ZTA | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 205毫安（Ta） 最大功耗: 1.2W（Ta） 供应商设备包装: SOT-89-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.2429 |
 | ZVP3306A | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 160毫安（Ta） 最大功耗: 625mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.64198 |
 | ZVP4424A | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 240伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安（Ta） 最大功耗: 750mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.87472 |
 | ZVP3306FTA | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 90毫安 (Ta) 最大功耗: 330mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.41454 |
 | ZVP3310FTA | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 75毫安 (Ta) 最大功耗: 330mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.68518 |
 | ZVP4525E6TA | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 197毫安（Ta） 最大功耗: 1.1W（Ta） 供应商设备包装: SOT-23-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.2429 |
 | ZVP2106GTA | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 450毫安 (Ta) 最大功耗: 2W（Ta） 供应商设备包装: SOT-223-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥8.25691 |
 | ZVP4424GTA | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 240伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 480毫安 (Ta) 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: SOT-223-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.85925 |
 | ZVP2106ASTZ | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 280毫安（Ta） 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: E-Line (TO-92 compatible) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.88076 |
ZVP4525GTC所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，ZVP4525GTC 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。ZVP4525GTC价格参考￥22.757192，你可以下载 ZVP4525GTC中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询ZVP4525GTC规格参数、现货库存、封装信息等信息！
达尔科技 (Diodes rporated)
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