9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQB1N60TM，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQB1N60TM价格参考2.054美元。onsemi FQB1N60TM封装/规格：MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAK。您可以下载FQB1N60TM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQB19N20LTM是MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK，包括卷轴封装，它们设计为与FQB19N2 0LTM_NL零件别名一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.046296盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计为在to-252-3以及Si技术中工作，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3.13 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为180 ns，上升时间为300 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为21 a，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-漏极电阻为140mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为130ns，典型接通延迟时间为35ns，正向跨导最小值为18.5S，沟道模式为增强。
FQB19N20TM是MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.046296盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns，典型的关闭延迟时间设计为55 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为190 ns，器件的漏极电阻为150 mOhms，Pd功耗为3.13W，封装为卷轴式，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为19.4 A，正向跨导最小值为14.5 S，下降时间为80 ns，配置为单一，信道模式为增强。
FQB19N20L，电路图由FSC制造。FQB19N20L在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
