9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQA6N90，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQA6N90参考价格为6.38美元。onsemi FQA6N90封装/规格：MOSFET N-CH 900V 6.4A TO3P。您可以下载FQA6N90英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQA65N20是MOSFET N-CH 200V 65A TO-3P，包括管封装，它们设计为与FQA65N2 0_NL零件别名一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.225789盎司，具有通孔等安装方式功能，封装盒设计为在TO-3P-3以及Si技术中工作，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有310 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为275 ns，上升时间为640 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为65 a，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-漏极电阻为32m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为340ns，典型接通延迟时间为120ns，正向跨导最小值为58S，沟道模式为增强。
FQA6N70是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 700V 6.4A TO-3P。FQA6N70以TO-3P-3、SC-65-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 700V 6.4A TO-3P、N沟道700V 6.4B（Tc）152W（Tc）通孔TO-3P。
FQA6N80是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P。FQA6N80以TO-3P-3、SC-65-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P、N沟道800V 6.3B（Tc）185W（Tc）通孔TO-3P和Trans MOSFET N-CH800V 6.3C 3-Pin（3+Tab）TO-3P。
