9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQA33N10，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FQA33N10参考价格为9.382美元。onsemi FQA33N10封装/规格：MOSFET N-CH 100V 36A TO3P。您可以下载FQA33N10英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQA30N40是MOSFET N-CH 400V 30A TO-3P，包括管封装，它们设计为与FQA30E40_NL零件别名一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.225789盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计为在TO-3P-3以及Si技术中工作，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有290 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为170 ns，上升时间为320 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为30 a，Vds漏极-源极击穿电压为400V，Rds导通漏极-漏极电阻为140mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为190ns，典型接通延迟时间为80ns，正向跨导最小值为20S，沟道模式为增强。
FQA32N20C是MOSFET N-CH 200V 32A TO-3P，包括30 V Vgs栅极-源极电压，设计用于200 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.225789盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如25 ns，典型的关闭延迟时间设计为245 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为270 ns，器件的漏极电阻为82 mOhms，Pd功耗为204 W，封装为管，封装外壳为TO-3P-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为32 A，正向跨导最小值为20 S，下降时间为210 ns，配置为单一，信道模式为增强。
FQA28N50F是FSC制造的MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3P。FQA28N50F以TO-3P-3、SC-65-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3P、N通道500V 28.4A（Tc）310W（Tc）通孔TO-3PN、Trans MOSFET N-CH500V 28.4A 3-Pin（3+Tab）TO-3PN导轨。
