9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NDT451N，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NDT451N价格参考3.628美元。onsemi NDT451N封装/规格：MOSFET N-CH 30V 5.5A SOT-223-4。您可以下载NDT451N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NDT451AN是MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于NDT451AN_NL零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006632盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-261-4、to-261AA以及Si技术，其工作温度范围为-65°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-223-4，配置为单双漏极，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.1W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为720pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为7.2A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为35 mOhm@7.2A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为30nC@10V，Pd功耗为3 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-65℃，下降时间为10纳秒，上升时间为13纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为7.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds导通-漏极电阻为30毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为29纳秒，典型的接通延迟时间为12ns，正向跨导最小值为11S，信道模式为增强。
NDT410EL，带有国家制造的用户指南。NDT410EL采用SOT223封装，是IC芯片的一部分。
NDT451AN-NL，带有FAIRCHILD制造的电路图。NDT451AN-NL采用SOT223封装，是IC芯片的一部分。
