9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NDT453N，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NDT453N参考价格$3.804。onsemi NDT453N封装/规格：MOSFET N-CH 30V 8A SOT-223-4。您可以下载NDT453N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NDT452AP是MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于NDT452AP_NL零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006632盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-261-4、to-261AA以及Si技术，其工作温度范围为-65°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-223-4，配置为单双漏极，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为1.1W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为690pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为5A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为65 mOhm@5A，10V，Vgs最大Id为2.8V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为30nC@10V，Pd功耗为3 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-65℃，下降时间为19纳秒，上升时间为20纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为5 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds导通漏极-漏极电阻为65毫欧，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为40纳秒，典型的接通延迟时间为9ns，正向跨导最小值为7S，信道模式为增强。
NDT452AP-NL，带有FAIRCHILD制造的用户指南。NDT452AP-NL采用SOT223封装，是IC芯片的一部分。
NDT452P是由NATIONAL制造的MOSFET P-CH 30V 3A SOT-223-4。NDT452P在TO-261-4、TO-261AA封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 30V 3A SOT-223-4、P沟道30V 3A（Ta）表面安装SOT-2234。
