特色
- -6.5 A，-20 VrDS（开启）=35 mΩ@VGS=-4.5 VrDS（打开）=50 mΩ@VGA=-2.7 V
- 极低rDS（ON）的高密度细胞设计
- 广泛使用的表面贴装封装中的高功率和电流处理能力
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
NDS8434
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta) 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
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- 单价: ¥5.28732
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,178.37
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
- 场效应管类型 P-通道
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
- 供应商设备包装 8-SOIC
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 最大功耗 2.5W（Ta）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.7伏、4.5伏
- 漏源电流 (Id) @ 温度 6.5A (Ta)
- 部件状态 过时的
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 80 nC @ 4.5 V
- 导通电阻 Rds(ON) 35毫欧姆 @ 6.5A, 4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2330 pF@10 V
NDS8434 产品详情
这些P沟道增强型功率场效应晶体管使用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺特别适合于最小化导通电阻并提供优异的开关性能。这些设备特别适用于低电压应用，如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，其中需要快速切换、低在线功耗和抗瞬变。
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NDS-SET | 格林利 (Greenlee) | NUT DRIVER SET HEX SOCKET 3PC | ¥322.47709 |
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 | NDS6D2415C | 村田电子制作所 (Elcom) | 电压输出2: -15伏 功率（瓦特）: 6 W 效率值: 87.5% 包装/外壳: 24-DIP Module, 8 Leads 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥147.03087 |
| NDS7002A-ES | 静芯微 (ElecSuper) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA | ¥0.0774 |
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| NDS-02V | 类型：平拨，凸起式 电路结构：单刀单掷 开关位数：2 颜色：红色 | ¥3.1108 | |
 | NDS-06V | 暂无 | ¥3.54168 |
NDS8434所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NDS8434 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NDS8434价格参考￥5.287317，你可以下载 NDS8434中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NDS8434规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
