9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPB100N06S3-04，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPB100N06S3-04参考价格为0.84000美元。Infineon Technologies IPB100N06S3-04封装/规格：MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3。您可以下载IPB100N06S3-04英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IPB100N06S2L-05是MOSFET N-Ch 55V 100A D2PAK-2 OptiMOS，包括OptiMOS系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPB100N6S2L05ATMA1 IPB100N86S2L5ATMA2 SP001067944，提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道数信道，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为300 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为24 ns，上升时间为25 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.4mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为98ns，典型接通延迟时间为18ns，沟道模式为增强型。
IPB100N06S2L05ATMA2和用户指南，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计用于N沟道三极管极性操作。数据表说明中显示了用于Si的技术，提供了部件别名功能，如IPB100N6S2L-05 SP001067944，包装设计用于卷筒，以及to-263-3包装箱，该设备也可以用作1信道数信道。
IPB100N06S3，带有INFINEON制造的电路图。IPB100N06S3采用TO-263封装，是FET的一部分-单个。
IPB100N06S3-03是INFINEON制造的MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK。IPB100N06S3-03可用于TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK，N沟道55V 100B（Tc）300W（Tc）表面安装PG-TO263-3-2。
