9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQA44N10，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FQA44N10参考价格$6.708。onsemi FQA44N10封装/规格：MOSFET N-CH 100V 48A TO3P。您可以下载FQA44N10英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQA38N30是MOSFET N-CH 300V 38.4A TO-3P，包括管封装，它们设计为与FQA38N30_NL零件别名一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.225789盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于TO-3P-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有290 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为190 ns，上升时间为430 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为38.4 a，Vds漏极-源极击穿电压为300V，Rds导通漏极-漏极电阻为85mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为170ns，典型接通延迟时间为80ns，正向跨导最小值为24S，沟道模式为增强。
FQA40N25是MOSFET N-CH 250V 40A TO-3P，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在250 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.225789盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如70 ns，典型的关闭延迟时间设计为120 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为580 ns，器件的漏极-源极电阻为70 mOhms，Pd功耗为280 W，零件别名为FQA40N25_NL，封装为管，封装外壳为TO-3P-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为40 A，下降时间为165 ns，配置为单一，通道模式为增强。
FQA40N50，电路图由FSC制造。FQA40N50采用TO-3P封装，是IC芯片的一部分。
