9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQA9N50，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQA9N50参考价格为1.852美元。onsemi FQA9N50封装/规格：MOSFET N-CH 500V 9.6A TO3P。您可以下载FQA9N50英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如FQA9N50价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
FQA90N15是MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P，包括管封装，它们设计为与FQA90N5_NL零件别名一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.225789盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计为在TO-3P-3以及Si技术中工作，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有375 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为410 ns，上升时间为760 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为90 a，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Rds导通漏极-漏极电阻为18m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为470ns，典型接通延迟时间为105ns，正向跨导最小值为68S，沟道模式为增强。
FQA90N15_F109带有用户指南，包括25 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在150 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.225789盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如105 ns，典型的关闭延迟时间设计为470 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为760 ns，器件的漏极电阻为18 mOhms，Pd功耗为6 W，封装为管，封装外壳为TO-3P-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为90 A，下降时间为410 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FQA90N1V2是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 100V 105A TO-3P。FQA90N1V2以TO-3P-3、SC-65-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 100V 105A TO-3P、N沟道100V 105B（Tc）330W（Tc）通孔TO-3P。
