9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQA14N30，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FQA14N30参考价格2.938美元。onsemi FQA14N30封装/规格：MOSFET N-CH 300V 15A TO3P。您可以下载FQA14N30英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQA140N10是MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P，包括管封装，它们设计为与FQA140N20_NL零件别名一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.225789盎司，具有通孔等安装方式功能，封装盒设计为在TO-3P-3以及Si技术中工作，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有375 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为360 ns，上升时间为940 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为140 a，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为10mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为350ns，典型接通延迟时间为75ns，正向跨导最小值为80S，沟道模式为增强。
FQA13N80_F109是MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在800 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.225789盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如60 ns，典型的关闭延迟时间设计为155 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为150 ns，器件的漏极电阻为750 mOhms，Pd功耗为300 W，封装为管，封装外壳为TO-3P-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为12.6A，下降时间为110ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FQA13N80是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P。FQA13N80以TO-3P-3、SC-65-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P、N沟道800V 12.6 A（Tc）300W（Tc）通孔TO-3PN、Trans MOSFET N-CH800V 12.6B 3-Pin（3+Tab）TO-3PN。
