9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQB4P25TM，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQB4P25TM参考价格$2.201。onsemi FQB4P25TM封装/规格：MOSFET P-CH 250V 4A D2PAK。您可以下载FQB4P25TM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQB4N80TM是MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK，包括卷轴封装，它们设计为单位重量0.046296盎司，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供3.13 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为35 ns，上升时间为45 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为3.9 A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Rds漏极漏极-漏极电阻为3.6欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型接通延迟时间为16ns，正向跨导最小值为3.8S，沟道模式为增强型。
FQB4N90是FSC制造的MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK。FQB4N90采用TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK。
FQB4N90TM是FSC制造的MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK。FQB4N90TM可用于TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK、N通道900V 4.2B（Tc）3.13W（Ta）、140W（Tc）表面安装D？PAK（TO-263AB），跨MOSFET N-CH 900V 4.2A 3引脚（2+Tab）D2PAK T/R。
