9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQA7N80_F109，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FQA7N80_F109参考价格为1.094美元。onsemi FQA7N80_F109封装/规格：MOSFET N-CH 800V 7.2A TO3P。您可以下载FQA7N80_F109英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQA70N10是MOSFET N-CH 100V 70A TO-3P，包括管封装，它们设计用于与FQA70N0_NL零件别名一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.225789盎司，具有通孔等安装方式功能，封装盒设计用于TO-3P-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有214 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为160 ns，上升时间为470 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为70 a，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为25mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为130ns，典型接通延迟时间为30ns，正向跨导最小值为48S，沟道模式为增强。
FQA70N15是MOSFET N-CH 150V 70A TO-3P，包括25 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于150 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.225789盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如60 ns，典型的关闭延迟时间设计为340 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，技术为Si，器件的上升时间为420 ns，器件的漏极-源极电阻为28 mOhms，Pd功耗为330 W，零件别名为FQA70N15_NL，封装为管，封装外壳为TO-3P-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为70 A，正向跨导最小值为48 S，下降时间为290 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FQA6N90C_F109带有电路图，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了60 ns的下降时间，提供了6 a等Id连续漏电流特性，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-3P-3封装盒，该器件具有封装管，Pd功耗为198 W，Rds导通漏极-源极电阻为2.3欧姆，上升时间为90 ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为55 ns，典型接通延迟时间为35ns，单位重量为0.225789oz，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Vgs栅极-源极电压为30V。
