9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQA7N90M_F109，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FQA7N90M_F109参考价格$2.444。onsemi FQA7N90M_F109封装/规格：MOSFET N-CH 900V 7A TO3P。您可以下载FQA7N90M_F109英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQA7N80C_F109带有引脚细节，包括管封装，其设计用于0.225789盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-3P-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供198 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为60 ns，上升时间为100 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为7 A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Rds漏极漏极-漏极电阻为1.9欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为35ns，沟道模式为增强。
FQA7N80C是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P。FQA7N80C以TO-3P-3、SC-65-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P、N沟道800V 7A（Tc）198W（Tc）通孔TO-3P和Trans MOSFET N-CH800V 7A 3-Pin（3+Tab）TO-3PN。
FQA7N90是FAI制造的MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P。FQA7N90以TO-3P-3、SC-65-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P、N沟道900V 7.4B（Tc）198W（Tc）通孔TO-3P和Trans MOSFET N-CH900V 7.4C 3-Pin（3+Tab）TO-3P。
