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FQA8N100C是MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P，包括管封装，它们设计用于0.225789盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-3P-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供225 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为80 ns，上升时间为95 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏电流为8 A，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Rds漏极漏极-漏极电阻为1.45欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为122ns，典型接通延迟时间为50ns，正向跨导最小值为8S，沟道模式为增强。
FQA85N06，带有FSC制造的用户指南。FQA85N06采用TO3P封装，是IC芯片的一部分，N沟道60V 100A（Tc）214W（Tc）通孔TO-3PN，Trans-MOSFET N-CH 60V 100B 3引脚（3+Tab）TO-3PN导轨。
FQA8N80，电路图由Fairchild制造。FQA8N80采用TO-3P封装，是FET的一部分-单个。
