9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQB20N06TM，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQB20N06TM参考价格为11.861美元。onsemi FQB20N06TM封装/规格：MOSFET N-CH 60V 20A D2PAK。您可以下载FQB20N06TM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQB19N20TM是MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK，包括卷轴封装，它们设计为单位重量0.046296盎司，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供3.13 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为80 ns，上升时间为190 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为19.4 A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds漏极漏极-漏极电阻为150m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型接通延迟时间为20ns，正向跨导最小值为14.5S，沟道模式为增强。
FQB1P50TM是MOSFET 500V P沟道QFET，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-500V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.046296盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如9 ns，典型的关闭延迟时间设计为27 ns，以及1 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为25 ns，器件的漏极-源极电阻为8欧姆，Pd功耗为3.13 W，封装为卷轴式，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为1.5 A，正向跨导最小值为1.26 S，下降时间为30 ns，配置为单一，信道模式为增强。
FQB1N60TM是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAK。FQB1N60TM可用于TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAK，N通道600V 1.2A（Tc）3.13W（Ta），40W（Tc）表面安装D？PAK（至263AB）。
FQB1P50，带有FAIRCHILD制造的EDA/CAD模型。FQB1P50在TO263封装中提供，是FET的一部分-单个。
