9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQB5P10TM，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FQB5P10TM参考价格10.932美元。onsemi FQB5P10TM封装/规格：MOSFET P-CH 100V 4.5A D2PAK。您可以下载FQB5P10TM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQB5N90TM是MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK，包括QFETR系列，它们设计用于与Digi-ReelR替代包装包装一起工作。数据表注释中显示了用于FQB5N99TM_NL的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.046296盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为TO-263-2，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为3.13W，晶体管类型为1 N通道，漏极-源极电压Vdss为900V，输入电容Cis-Vds为1550pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为5.4A（Tc），最大Id Vgs的Rds为2.3 Ohm@2.7A，10V，Vgs最大Id为5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为40nC@10V，Pd功耗为3.13 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为50纳秒，上升时间为65纳秒，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为5.4 A，Vds漏极-源极击穿电压为900 V，Rds漏极电阻为2.3欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为65 ns，典型接通延迟时间为28ns，正向跨导最小值为5.6S，信道模式为增强。
FQB5N60CTM_WS，带有Fairchild制造的用户指南。是MOSFET、MOSFET的一部分，支持“MOSFET 600V、MOSFET 600V和4.5A NCH MOSFET”。
FQB5N90，带有FAIRCHILD制造的电路图。FQB5N90采用TO-263封装，是FET的一部分-单个。
