9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQB5N20LTM，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FQB5N20LTM参考价格为6.322美元。onsemi FQB5N20LTM封装/规格：MOSFET N-CH 200V 4.5A D2PAK。您可以下载FQB5N20LTM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQB55N10TM是MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK，包括卷轴封装，它们设计为单位重量0.046296盎司，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供3.75 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为140 ns，上升时间为250 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为55 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds漏极漏极-漏极电阻为26mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型接通延迟时间为25ns，正向跨导最小值为38S，沟道模式为增强。
FQB55N06TM是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK。FQB55N06TM在TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK、N沟道60V 55B（Tc）3.75W（Ta）、133W（Tc）表面安装D？PAK（至263AB）。
FQB55N10，带有FAIRCHILD制造的电路图。FQB55N10在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
FQB5N20，带有FSC制造的EDA/CAD模型。FQB5N20在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
