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IPB60R250CP是MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3，包括CoolMOS CP系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPB60R150CPATMA1 IPB60R2 50CPXT SP000358140，提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为104 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为17 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为12A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为250m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型接通延迟时间为40ns，沟道模式为增强。
IPB60R199CPATMA1带有用户指南，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作，产品名称显示在数据表注释中，用于CoolMOS，提供Si等技术功能，系列设计用于XPB60R199，以及IPB60R199CP IPB60R1 99CPXT SP000223256零件别名，该装置也可以用作卷筒包装。此外，包装箱为TO-263-3，该设备提供1信道数信道。
带有电路图的IPB60R230P6ATMA1，包括TO-263-3包装箱，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPB60R130P6 SP001364466，提供Si等技术特性。
