9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTR3161NT1G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NTR3161NT1G价格参考2.908美元。onsemi NTR3161NT1G封装/规格：MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT23-3。您可以下载NTR3161NT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTR2101PT1G是MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23，包括NTR2101P系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3（TO-236），配置为单一，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为960mW，晶体管类型为1 P通道，漏极到源极电压Vdss为8V，输入电容Ciss Vds为1173pF@4V，FET特性为标准，最大Id Vgs的Rds为52 mOhm@3.5A，4.5V，Vgs的最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为15nC@4.5V，Pd功耗为960 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为15.75 ns，上升时间为15.75ns，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为-3.7A，Vds漏极-源极击穿电压为-8V，Rds导通漏极-漏极电阻为79mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为38ns，典型导通延迟时间为7.4ns，正向跨导最小值为9S，并且信道模式是增强。
NTR2101PT1是ON公司生产的MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23。NTR2101TT1采用TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET P-CH8V 3.7A/SOT-23、P沟道8V 960mW（Ta）表面安装SOT-23-23（TO-236）。
带有电路图的NTR-2122（SC）是IC芯片的一部分。
