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NTR4503NT3G

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A(Ta) 最大功耗: 420mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 244

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    - +
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 7 nC @ 10 V
  • 供应商设备包装 SOT-23-3 (TO-236)
  • 部件状态 过时的
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 1.5A(Ta)
  • 最大功耗 420mW (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 110欧姆@2.5A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 250 pF @ 24 V

NTR4503NT3G 产品详情

这款30 V N沟道小信号MOSFET采用领先的平面技术ON Semiconductors设计,用于低栅极电荷,从而实现快速开关器件。这种性能特别适用于DC-DC转换或低侧功率开关应用。小型SOT-23(3.0 x 3.0 mm)封装使该部件成为笔记本电脑和其他便携式应用的理想选择。

特色

  • 用于低栅极电荷/快速开关的领先平面技术
  • 4.5 V额定电压,用于低压栅极驱动
  • SOT-23表面安装,适用于小尺寸(3x3mm)
  • 符合RoHS

应用

  • DC-DC转换
  • 便携式负载/电源开关
  • 用于计算的负载/电源开关


(图片:引出线)

NTR4503NT3G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTR4503NT3G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTR4503NT3G价格参考¥1.014006,你可以下载 NTR4503NT3G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTR4503NT3G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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