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BSZ120P03NS3E G是MOSFET P-Ch-30V-40A TSDSON-8 OptiMOS P3，包括OptiMOS P3系列，它们设计用于卷盘封装。数据表注释中显示了用于BSZ120P02NS3EGATMA1 BSZ120P01NS3EGXT SP000709730的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于OptiMOS，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件以单配置提供，该器件具有1个晶体管型P信道，Id连续漏极电流为-40 a，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds漏极源极电阻为12 mOhm，晶体管极性为P信道。
BSZ120P03NS3 G是MOSFET P-Ch-30V-40A TSDSON-8 OptiMOS P3，包括-30 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为与1 P沟道晶体管类型一起工作，晶体管极性如数据表注释所示，用于P沟道，提供OptiMOS等商品名功能，技术设计用于Si，以及OptiMOS P3系列，该器件也可以用作漏极-源极电阻上的12mOhms Rds。此外，部件别名为BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P02NS3GXT SP000709736，该设备采用卷筒包装，该设备具有TSDSON-8封装盒，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为-40 a，配置为单信道。
BSZ115N03MSC G，带有INFINEON制造的电路图。BSZ115N03MSC G采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
