9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPB034N06N3GATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPB034N06N3GATMA1参考价格$1.9。Infineon Technologies IPB034N06N3GATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7。您可以下载IPB034N06N3GATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPB034N06L3GATMA1是MOSFET N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3，包括XPB034N06系列，它们设计用于卷盘封装。数据表注释中显示了用于G IPB034NO6L3 IPB034NO 6L3GXT SP000398062的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于OptiMOS，以及to-263-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为167 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为78 ns，Vgs栅源电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为90A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.7V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为64ns，典型接通延迟时间为25ns，Qg栅极电荷为59nC，正向跨导Min为153S，并且信道模式是增强。
IPB034N06L3 G是MOSFET N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.068654盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如25 ns，典型的关闭延迟时间设计为64 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术，该器件具有OptiMOS 3系列，上升时间为78 ns，漏极电阻Rds为3.4 mOhms，Pd功耗为167 W，部件别名为IPB034N06L3GATMA1 IPB034NO6L3GXT SP000398062，包装为卷筒，包装箱为TO-263-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为90 A，下降时间为13 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPB034N03LG，带有INF制造的电路图。IPB034NO3LG在SOT263封装中提供，是FET的一部分-单个。
IPB034N06N3G，带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPB034N06N3G在TO-263-7封装中提供，是FET的一部分-单个。
