9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的2N7002E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2N7002E参考价格$7.088。Vishay Siliconix 2N7002E封装/规格：MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3。您可以下载2N7002E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2N7002DW-TP是MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363，包括2N7002系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000265盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-363，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为200mW，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为50pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为115mA，最大Id Vgs上的Rds为7.5 Ohm@50mA，5V，Vgs最大Id为2V@250μA，Pd功耗为200mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Id连续漏极电流为115 mA，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为13.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为11ns，典型接通延迟时间为7ns，正向跨导最小值为80mS，沟道模式为增强。
2N7002DWT/R，带有PANJIT制造的用户指南。2N7002DWT/R在SOT-363封装中提供，是IC芯片的一部分。
2N7002DWT/R（702），电路图由PANJIT制造。是IC芯片的一部分。
2N7002DWT1G带有ON制造的EDA/CAD模型。2N7002DWT 1G采用SOT-363封装，是IC芯片的一部分。
