9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STY130NF20D，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STY130NF20D参考价格$2.248。STMicroelectronics STY130NF20D封装/规格：MOSFET N-CH 200V 130A MAX247。您可以下载STY130NF20D英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STY105NM50N是MOSFET N-CH 500V 110A MAX247，包括MDmesh？II系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-247-3，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该设备提供1信道数信道，该设备具有MAX247？供应商设备包，配置为单一，FET类型为MOSFET N沟道、金属氧化物，功率最大值为625W，晶体管类型为1 N沟道，漏极至源极电压Vdss为500V，输入电容Ciss Vds为9600pF@100V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为110A（Tc），最大Id Vgs为22mOhm@52A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为326nC@10V，Pd功耗为625 W，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为88 A，Vds漏极-源极击穿电压为600 V，Vgs第栅极-源极端阈值电压为4 V，Rds漏极源极电阻为22 mΩ，晶体管极性为N沟道。
STY112N65M5是MOSFET N沟道650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在25 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，提供单位重量功能，如1.340411 oz，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为MDmesh M5，该器件提供19 mOhms Rds漏极-源极电阻，该器件具有350 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为625 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为96 A，配置为单一。
STY100NM60N是MOSFET N-Ch 600V 0.025 Ohm 98A MDmesh II FET，包括单一配置，设计用于74 a Id连续漏极电流，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供多个通道功能，如1通道，封装外壳设计用于to-247-3，以及管封装，该器件也可以用作625W Pd功率耗散。此外，Rds漏极-源极电阻为29 mOhm，该器件采用N沟道MDmesh系列，该器件具有技术硅，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，单位重量为1.340411 oz，Vds漏极源极击穿电压为600 V，Vgs栅源极电压为25 V，Vgsth栅源极阈值电压为4 V。
