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SIJ470DP-T1-GE3是MOSFET 100V9.1mOhm@10V58.8A N-CH，包括功率MOSFET系列，它们设计用于卷盘封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于ThunderFET TrenchFET以及SO-8封装盒，该器件也可用于Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为56.8 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为8 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为58.8A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为9.1mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为36.9nC，沟道模式为增强型。
SIJ482DP-T1-GE3是MOSFET 80V6.2mOhm@10V60A N-Ch MV T-FET，包括2.7 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在2.7 V Vg栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于80 V，提供0.017870 oz等单位重量特性，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作ThunderFET TrenchFET商品名。此外，该技术为Si，该器件提供6.2 mOhms Rds漏极-源极电阻，该器件具有24 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为69.4 W，零件别名为SIJ482DP-GE3，封装为卷轴式，封装外壳为SO-8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，Id连续漏极电流为60 a，并且配置是单一的。
SIJ458DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8，包括1个通道数量的通道，它们设计为与卷轴封装一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si具有TrenchFET等商标特征，晶体管极性设计为在N通道以及1个N通道晶体管类型中工作。
