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2N7008

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 150毫安(Ta) 最大功耗: 400mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92 (TO-226) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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  • 单价: ¥9.56063
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    - +
  • 总计: ¥9.56
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 安装类别 通孔
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 5V, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 50 pF @ 25 V
  • 部件状态 过时的
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 150毫安(Ta)
  • 供应商设备包装 TO-92 (TO-226)
  • 最大功耗 400mW (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 7.5欧姆 @ 50毫安, 5V
  • 包装/外壳 TO-226-3、TO-92-3长机身
  • 最大栅源极电压 (Vgs) 40伏

2N7008 产品详情

先进的DMOS技术这些增强型(常关)晶体管利用垂直DMOS结构和Supertex成熟的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并且具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特点,这些器件没有热失控和热引发的二次击穿。

应用电机控制转换器放大器开关电源电路驱动器(继电器、锤子、螺线管、灯、存储器、显示器、双极晶体管等)

特色

无二次击穿低功率驱动要求易于并联低CISS和快速开关速度优异的热稳定性集成源漏二极管高输入阻抗和高增益互补N沟道和P沟道器件

2N7008所属分类:分立场效应晶体管 (FET),2N7008 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。2N7008价格参考¥9.560628,你可以下载 2N7008中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询2N7008规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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