9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPB47N10S33ATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPB47N10S33ATMA1参考价格为0.97000美元。Infineon Technologies IPB47N10S33ATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3。您可以下载IPB47N10S33ATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPB47N10S-33是MOSFET N-Ch 100V 47A D2PAK-2 SIPMOS，包括SIPMOS系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPB47N1 0S33ATMA1 IPB47N 0S33XT SP000225702，提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SIPMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道数信道，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为175 W，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为23 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为47A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为33mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为63ns，典型接通延迟时间为25ns，沟道模式为增强。
IPB45P03P4L-11是MOSFET P-Ch-30V-45A D2PAK-2 OptiMOS-P2，包括5V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如7 ns，典型的关闭延迟时间设计为45 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术，该器件具有OptiMOS-P2系列，上升时间为3 ns，漏极-源极电阻Rds为10.8 mOhms，Qg栅极电荷为42 nC，Pd功耗为58 W，部件别名为IPB45P03P4L11ATMA1 IPB45P03 P4L11XT SP000396276，包装为卷筒，包装箱为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，Id连续漏电流为-45 A，下降时间为14 ns。
IPB45N06S4L08ATMA2是MOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2，包括45A Id连续漏极电流，它们设计为以1通道数量的通道运行。数据表注释中显示了用于to-263-3的封装情况，该封装提供了卷盘等封装功能，零件别名设计用于IPB45NO6S4L-08 IPB45NO 6S4L08XT SP001028654，该器件还可以用作IPB45N06系列。此外，该技术为硅，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型N沟道，单位重量为0.068654盎司，Vds漏极-源极击穿电压为60 V。
IPB46N03L，带有FEELING制造的EDA/CAD模型。IPB46N03L采用SOT-263封装，是IC芯片的一部分。
