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IPB47N10SL-26是MOSFET N-Ch 100V 47A D2PAK-2 SIPMOS，包括SIPMOS系列，它们设计用于卷盘包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPB47N1 0SL26ATMA1 IPB47N2 0SL26XT SP000225701，其提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SIPMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为175 W，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为70 ns，上升时间为100 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为47A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为26mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为50 ns，沟道模式为增强。
IPB47N10S-33是MOSFET N-Ch 100V 47A D2PAK-2 SIPMOS，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如25 ns，典型的关闭延迟时间设计为63 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为SIPMOS，该器件采用Si技术提供，该器件具有串联SIPMOS，上升时间为23ns，漏极源极电阻Rds为33mOhms，Pd功耗为175W，部件别名为IPB47N10S33ATMA1 IPB47N1 0S33XT SP000225702，包装为卷筒，包装箱为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为47 A，下降时间为15 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPB45P03P4L-11是MOSFET P-Ch-30V-45A D2PAK-2 OptiMOS-P2，包括14 ns的下降时间，它们设计为在-45 a Id连续漏电流下工作，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，安装类型设计为在SMD/SMT中工作，以及1通道数量的通道，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，包装为Reel，该器件以IPB45P03P4L11ATMA1 IPB45P03 P4L11XT SP000396276零件别名提供，该器件具有58W的Pd功耗，Qg栅极电荷为42nC，漏极-源极电阻Rds为10.8mOhms，上升时间为3ns，系列为OptiMOS-P2，技术为Si，商品名为OptiMOS，晶体管极性为P沟道，晶体管类型为1P沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为7ns，单位重量为0.13932oz，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Vgs栅极-源极电压为5V。
IPB46N03L，带有FEELING制造的EDA/CAD模型。IPB46N03L采用SOT-263封装，是IC芯片的一部分。
