9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NVTP2955G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NVTP2955G参考价格为0.43000美元。onsemi NVTP2955G封装/规格：MOSFET 60V 12A 196。您可以下载NVTP2955G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NVTJD4001NT1G是MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88，其中包括NTJD4001N系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000265盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件在SC-88/SC70-6/SOT-363供应商器件包中提供，该器件具有2 N沟道（双）FET类型，最大功率为272mW，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为33pF@5V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为250mA，Rds最大Id Vgs为1.5欧姆@10mA，4V，Vgs最大Id为1.5V@100μA，栅极电荷Qg Vgs为1.3nC@5V，Id连续漏极电流为250mA，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极源极电阻为1.5欧姆，晶体管极性为N沟道。
NVTJD4001NT2G是MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88，包括1.5V@100μA Vgs和最大Id，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供供应商设备包功能，如SC-88/SC70-6/SOT-363，系列设计为在NTJD4001N中工作，以及1.5 Ohm@10mA，4V Rds和最大Id Vgs，该器件也可以用作1.5欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，最大功率为272mW，该器件采用胶带和卷轴（TR）交替包装包装，该器件具有6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，输入电容Cis-Vds为33pF@5V，Id连续漏电流为250mA，栅极电荷Qg Vgs为1.3nC@5V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为30V，25°C的电流连续漏极Id为250mA。
NV-TOL-3M是连接电缆3M，包括RS-232连接器端A，它们设计用于D-Sub连接器控制侧连接，与相关产品一起使用如数据表注释所示，用于Omron NV系列，提供长度特性，如9.84’（3.00m），包装设计用于散装，以及圆形连接器过程侧连接，该设备也可以用作I/O电缆产品。此外，该系列为NV，设备在接口规范中提供，设备具有类型的编程电缆。
NVTJD4158CT1G具有EDA/CAD模型，包括Si技术，它们设计用于卷筒包装。
