9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQA13N80,该产品在9icnet现场销售,可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQA13N80参考价格$4.318。onsemi FQA13N80封装/规格:MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN。您可以下载FQA13N80英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如FQA13N80价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
FQA13N50CF是MOSFET N-CH 500V 15A TO-3P,包括管封装,它们设计用于与FQA13R50CF_NL零件别名一起工作,单位重量如数据表注释所示,用于0.225789盎司,具有通孔等安装方式特征,封装盒设计用于TO-3P-3,以及Si技术,该设备也可以用作1通道数量的通道。此外,该配置为单一配置,该器件为1 N沟道晶体管类型,该器件具有218 W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为100 ns,上升时间为100纳秒,Vgs栅极-源极电压为30 V,Id连续漏极电流为15 a,Vds漏极-源极击穿电压为500V,Rds导通漏极-漏极电阻为480mOhms,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为130ns,典型接通延迟时间为25ns,沟道模式为增强型。
FQA13N50C_F109带有用户指南,包括500 V Vds漏极-源极击穿电压,它们设计为以0.225789 oz单位重量运行,数据表注释中显示了用于1 N沟道的晶体管类型,提供晶体管极性特性,如N沟道,技术设计用于Si,以及480 mOhms Rds漏极源极电阻,该装置也可以用作管包装。此外,封装外壳为TO-3P-3,该设备提供1通道数量的通道,该设备具有13.5A的Id连续漏电流。
FQA13N50C是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 500V 13.5A TO-3P。FQA13N50C以TO-3P-3、SC-65-3封装形式提供,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH 500V 13.5A TO-3P、N沟道500V 13.5A(Tc)218W(Tc)通孔TO-3PN、Trans MOSFET N-CH500V 13.5A 3-Pin(3+Tab)TO-3PN导轨。