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FQA36P15是MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P,包括管封装,它们设计为与FQA36P115_NL零件别名一起工作,单位重量如数据表注释所示,用于0.225789盎司,提供通孔等安装方式功能,封装盒设计为在TO-3P-3以及Si技术中工作,该设备也可以用作1通道数量的通道。此外,该配置为单一配置,该器件为1 P沟道晶体管类型,该器件具有294 W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+175 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为150 ns,上升时间为350 ns,Vgs栅极-源极电压为30 V,Id连续漏极电流为36 a,Vds漏极-源极击穿电压为-150V,Rds导通漏极-漏极电阻为90m欧姆,晶体管极性为P沟道,典型关断延迟时间为155ns,典型接通延迟时间为50ns,正向跨导最小值为19.5S,沟道模式为增强。
FQA35N40是FSC制造的MOSFET N-CH 400V 35A TO-3P。FQA35N40在TO-3P-3、SC-65-3封装中提供,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH 400V 35A TO-3P、N沟道400V 35A(Tc)310W(Tc)通孔TO-3P和Trans MOSFET N-CH400V 35A 3-Pin(3+Tab)TO-3P导轨。
FQA36P15_F109,带有FAIRCHILD制造的电路图。FQA36P15_F109在TO-3P封装中提供,是IC芯片的一部分,并支持P通道150V 36A(Tc)294W(Tc)通孔TO-3PN。