9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQA28N50，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQA28N50参考价格3.562美元。onsemi FQA28N50封装/规格：MOSFET N-CH 500V 28.4A TO3P。您可以下载FQA28N50英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQA24N60是MOSFET N-CH 600V 23.5A TO-3P，包括管封装，它们设计为与FQA24S60_NL零件别名一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.225789盎司，提供通孔等安装方式功能，封装盒设计为在TO-3P-3以及Si技术中工作，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有310 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为170 ns，上升时间为270 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为23.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为240mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为200ns，典型接通延迟时间为90ns，正向跨导最小值为22.5S，沟道模式为增强型。
FQA27N25是MOSFET N-CH 250V 27A TO-3P，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于250 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.225789盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如32 ns，典型的关闭延迟时间设计为80 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，技术为Si，器件的上升时间为270 ns，器件的漏极-源极电阻为110 mOhms，Pd功耗为210 W，零件别名为FQA27N25_NL，封装为管，封装外壳为TO-3P-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为27 A，正向跨导最小值为25 S，下降时间为120 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FQA28N15是MOSFET N-CH 150V 33A TO-3P，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了115纳秒的下降时间，提供了前向跨导最小特性，如20 S，Id连续漏电流设计为在33 a下工作，其最大工作温度范围为+175 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为通孔，器件提供1个通道数量的通道，器件具有TO-3P-3封装盒，封装为管，零件别名为FQA28N15_NL，Pd功耗为277 W，漏极电阻为90 mOhms，上升时间为180 ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为17ns，单位重量为0.225789oz，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Vgs栅极-源极电压为25V。
