9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSO4822T,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BSO4822T参考价格为1.852美元。Infineon Technologies BSO4822T封装/规格:MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO。您可以下载BSO4822T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BSO4804是MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC,包括OptiMOS?系列,它们设计用于切割胶带(CT)包装,数据表注释中显示了用于8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)的封装盒,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),安装类型设计用于表面安装,以及8-SO供应商器件封装,该器件也可以用作2 N通道(双通道)FET类型。此外,功率最大值为2W,器件提供30V漏极到源极电压Vdss,器件具有870pF@25V的输入电容Cis-Vds,FET特性为逻辑电平门,电流连续漏极Id 25°C为8A,最大Id Vgs上的Rds为20mOhm@8A,10V,Vgs最大Id为2V@30μa,栅极电荷Qg-Vgs为17nC@5V。
BSO4804T是MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC,包括2V@30μA Vgs th Max Id,它们设计为与8-SO供应商器件包一起工作,系列如数据表注释所示,用于OptiMOS?,提供Rds On Max Id Vgs功能,例如20 mOhm@8A、10V,Power Max设计用于2W,以及切割胶带(CT)封装,该器件也可以用作8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)封装盒,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),该器件为表面安装型,该器件具有870pF@25V的输入电容Cis-Vds,栅极电荷Qg-Vgs为17nC@5V,FET类型为2N通道(双),FET特性为逻辑电平门,漏极到源极电压Vdss为30V,电流连续漏极Id 25°C为8A。
BSO4804NT,电路图由INFONEON制造。BSO4804NT采用SOIC8封装,是IC芯片的一部分。
BSO4822是INFINEON制造的MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC。BSO4822采用8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)封装,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC、N沟道30V 12.7 A(Ta)2.5W(Ta)表面安装8-SO。