9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的SPD30N03S2L10GBTMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SPD30N03S2L10GBTMA1参考价格为1.124美元。Infineon Technologies SPD30N03S2L10GBTMA1封装/规格：MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3。您可以下载SPD30N03S2L10GBTMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SPD30N03S2L-10 G是MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3，包括SPD30N03系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了零件别名，用于SP000443918 SPD30N02S2L10GBTMA1 SPD30N03S 2L10GXT，提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为100 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为17 ns，上升时间为13 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为30A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为10mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为27ns，典型接通延迟时间为6.1ns，沟道模式为增强。
SPD30N03S2L-10是INFINEON制造的MOSFET N-CH 30V 30A DPAK。SPD30N03S2L-10可采用TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 30A DPak、N沟道30V 30V（Tc）100W（Tc）表面安装PG-TO252-3。
SPD30N03S2L-10G是由INF制造的MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3。SPD30N02S2L-10G有TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH30V 30A-TO252-3。
