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SPD07N20 G是MOSFET N-Ch 200V 7A DPAK-2，包括SPD07N2O系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于SP000449008 SPD07N20GBTMA1 SPD07N220GXT，提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SIPMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N通道，Pd功耗为40 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为7A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds漏极源极导通电阻为400m欧姆，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为21nC，正向跨导Min为4.2S 3S。
SPD07N20是INFINEON制造的MOSFET N-CH 200V 7A TO-252。SPD07N20采用TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是IC芯片的一部分，并支持MOSFET N-CH 200V 7A TO-252、N沟道200V 7A（Tc）40W（Tc）表面安装PG-TO252-3。
SPD07N20G，电路图由FEELING制造。SPD07N20G在SOT-252封装中提供，是FET的一部分-单个。
