9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQB24N08TM，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FQB24N08TM参考价格$2.522。onsemi FQB24N08TM封装/规格：MOSFET N-CH 80V 24A D2PAK。您可以下载FQB24N08TM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQB22P10TM是MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK，包括QFETR系列，它们设计用于与Digi-ReelR替代包装包装一起工作。FQB22P10 TM_NL的数据表注释中显示了零件别名，提供单位重量功能，如0.046296盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为D2PAK，配置为单，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，功率最大值为3.75W，晶体管类型为1个P通道，漏极-源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为1500pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为22A（Tc），最大Id Vgs的Rds为125mOhm@11A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为50nC@10V，Pd功耗为3.75W，其最大工作温度范围为+175 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为110纳秒，上升时间为170纳秒，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为-22 A，Vds漏极-源极击穿电压为-100 V，Rds漏极源极电阻为125毫欧，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为60纳秒，典型接通延迟时间为17ns，正向跨导Min为13.5S，信道模式为增强。
FQB22P10，带有FAIRCHILD制造的用户指南。FQB22P10在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
FQB22P10TM_F085，电路图由Fairchild制造。FQB22P10TM_F085在TO-2632L（D2PAK）封装中提供，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，支持“MOSFET P-Chan、MOSFETP-Chan，-100V、-22A0.125HM@VGS=-10伏。
FQB24N08是FSC制造的MOSFET N-CH 80V 24A D2PAK。FQB24N08采用TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 80V 24A D2PAK。
