9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQB9N25TM，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQB9N25TM参考价格$9.848。onsemi FQB9N25TM封装/规格：MOSFET N-CH 250V 9.4A D2PAK。您可以下载FQB9N25TM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQB8P10TM是MOSFET 100V P沟道QFET，包括卷盘封装，它们设计用于0.046296盎司单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1沟道数量的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供3.75 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为35 ns，上升时间为110 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为-8 A，Vds漏极-源极击穿电压为-100V，Rds漏极源极电阻为530mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为11ns，正向跨导最小值为4.3S，沟道模式为增强。
FQB8P10和FSC制造的用户指南。FQB8P10在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
FQB9N08LTM是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK。FQB9N08LTM采用TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK，N沟道80V 9.3B（Tc）3.75W（Ta），40W（Tc）表面安装D？PAK（TO-263AB），Trans-MOSFET N-CH 80V 9.3A汽车3引脚（2+Tab）D2PAK T/R。
FQB9N25，带有FAIRCHILD制造的EDA/CAD模型。FQB9N25在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
