9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQB3N80TM，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQB3N80TM参考价格为0.74美元。onsemi FQB3N80TM封装/规格：MOSFET N-CH 800V 3A D2PAK。您可以下载FQB3N80TM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQB34P10TM是MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK，包括QFETR系列，它们设计用于与Digi-ReelR替代包装包装一起工作。数据表注释中显示了用于FQB34P10 TM_NL的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.046296盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为TO-263-2，配置为单，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为3.75W，晶体管类型为1个P通道，漏极-源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为2910pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为33.5A（Tc），最大Id Vgs的Rds为60 mOhm@16.75A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为110nC@10V，Pd功耗为3.75 W，它的最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为210 ns，上升时间为250 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为-33.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为-100 V，Rds漏极源极电阻为60 mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为160ns，典型接通延迟时间为25ns，正向跨导最小值为23S，信道模式为增强。
FQB34P10，带有FAIRCHILD制造的用户指南。FQB34P10在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
FQB34P10TM_F085，电路图由Fairchild制造。FQB34P10TM_F085在TO-2632L（D2PAK）封装中提供，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，支持“MOSFET-33.5A、MOSFET-33.5B、-100V、P-ch”。
