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IPB065N03L G是MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPB065NO3LGATMA1 IPB065NO 3LGXT SP000254709，其提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为56W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3.4 ns，上升时间为4.2 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为50A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为6.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为21ns，典型接通延迟时间为5.5ns，沟道模式为增强。
IPB05N03L-E3045A，带有INFINEON制造的用户指南。IPB05N03L-E3045A采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
IPB065N03LG，带有INFINEON制造的电路图。IPB065N03LG在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
