9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPB096N03LGATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPB096N03LGATMA1参考价格为0.37336美元。Infineon Technologies IPB096N03LGATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 30V 35A D2PAK。您可以下载IPB096N03LGATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPB096N03L G是MOSFET N-Ch 30V 35A D2PAK-2 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于IPB096NO3LGATMA1 SP000254711的部件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.139332盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为42 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2.6 ns，上升时间为3.2 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为35A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为9.6mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16ns，典型接通延迟时间为4ns，沟道模式为增强。
IPB093N04L G和INF制造的用户指南。IPB093NO4L G采用TO-263封装，是FET的一部分-单个。
IPB093N04LG，带有INF制造的电路图。IPB093NO4LG在SOT263封装中提供，是FET的一部分-单个。
IPB096N03LG，带有INF/EDA/CAD型号。IPB096NO3LG采用TO-263-2封装，是FET的一部分-单体。
