9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSO303SPHXUMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSO303SPHXUMA1参考价格为0.42000美元。Infineon Technologies BSO303SPHXUMA1封装/规格：MOSFET P-CH 30V 7.2A 8DSO。您可以下载BSO303SPHXUMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BSO303SP H是MOSFET P-CH 30V 7.2A 8DSO，包括OptiMOS P系列，它们设计用于卷盘封装。数据表注释中显示了用于BSO303SPHXXT BSO3303SPHXUMA1 SP000613848的零件别名，该设备提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于OptiMOS，以及DSO-8封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型P信道，Pd功耗为2.5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为33 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为-9.1A，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Rds导通漏极-漏极电阻为21mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为42ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为-40nC，正向跨导最小值为19S，沟道模式为增强。
BSO303PNTMA1，带有用户指南，包括2V@100μA Vgs th Max Id，设计用于与P-DSO-8供应商设备包一起操作，数据表注释中显示了用于OptiMOS？的系列？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如21 mOhm@8.2A，10V，Power Max设计用于2W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有1761pF@25V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为72.5nC@10V，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为8.2A。
BSO303PH，带有INFINEON制造的电路图。BSO303PH在PG-DSO-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
具有INFINE0N制造的EDA/CAD模型的BSO303SP。BSO303SP采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
